IPB042N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB042N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de IPB042N03L MOSFET
IPB042N03L Datasheet (PDF)
ipb042n03l.pdf

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ipb042n10n3-g ipi045n10n3-g ipp045n10n3-g ipb042n10n3ge8187.pdf

IPB042N10N3 G IPI045N10N3 GIPP045N10N3 G3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1
ipb042n10n3g.pdf

IPB042N10N3 GMOSFETDPAKOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VFeatures N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3GFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Otros transistores... IPB05N03LA , IPB057N06N , IPB055N03L , IPB04N03LAT , IPB04N03LA , IPB04CN10NG , IPB049N08N5 , IPB042N10N3GE8187 , EMB04N03H , IPB03N03LBG , IPB039N10N3GE8187 , IPB034N03L , IPB031N08N5 , IPB029N06N3GE8187 , IPB027N10N5 , IPB026N06N , IPB024N08N5 .
History: RJK03F0DPA | AP6N1R7CDT | VP3203N3 | GP2M007A065XG | SPI21N50C3 | CSP08N6P5 | AP4501AGEM-HF
History: RJK03F0DPA | AP6N1R7CDT | VP3203N3 | GP2M007A065XG | SPI21N50C3 | CSP08N6P5 | AP4501AGEM-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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