IPB042N03L Todos los transistores

 

IPB042N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB042N03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de IPB042N03L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPB042N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  infineon
ipb042n03l.pdf pdf_icon

IPB042N03L

pe %% # ! % # ! F % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 4 m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 7 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86

 7.1. Size:746K  infineon
ipb042n10n3-g ipi045n10n3-g ipp045n10n3-g ipb042n10n3ge8187.pdf pdf_icon

IPB042N03L

IPB042N10N3 G IPI045N10N3 GIPP045N10N3 G3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1

 7.2. Size:976K  infineon
ipb042n10n3g.pdf pdf_icon

IPB042N03L

IPB042N10N3 GMOSFETDPAKOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VFeatures N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica

 7.3. Size:204K  inchange semiconductor
ipb042n10n3g.pdf pdf_icon

IPB042N03L

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3GFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Otros transistores... IPB05N03LA , IPB057N06N , IPB055N03L , IPB04N03LAT , IPB04N03LA , IPB04CN10NG , IPB049N08N5 , IPB042N10N3GE8187 , EMB04N03H , IPB03N03LBG , IPB039N10N3GE8187 , IPB034N03L , IPB031N08N5 , IPB029N06N3GE8187 , IPB027N10N5 , IPB026N06N , IPB024N08N5 .

History: RJK03F0DPA | AP6N1R7CDT | VP3203N3 | GP2M007A065XG | SPI21N50C3 | CSP08N6P5 | AP4501AGEM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.