IPB042N03L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPB042N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IPB042N03L
IPB042N03L Datasheet (PDF)
ipb042n03l.pdf

pe %% # ! % # ! F % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 4 m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 7 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86
ipb042n10n3-g ipi045n10n3-g ipp045n10n3-g ipb042n10n3ge8187.pdf

IPB042N10N3 G IPI045N10N3 GIPP045N10N3 G3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1
ipb042n10n3g.pdf

IPB042N10N3 GMOSFETDPAKOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VFeatures N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synchronous rectifica
ipb042n10n3g.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB042N10N3GFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие MOSFET... IPB05N03LA , IPB057N06N , IPB055N03L , IPB04N03LAT , IPB04N03LA , IPB04CN10NG , IPB049N08N5 , IPB042N10N3GE8187 , EMB04N03H , IPB03N03LBG , IPB039N10N3GE8187 , IPB034N03L , IPB031N08N5 , IPB029N06N3GE8187 , IPB027N10N5 , IPB026N06N , IPB024N08N5 .
History: IPB042N10N3GE8187 | IPB03N03LBG | IRF2907ZPBF | MCP87050 | SIHFSL11N50A
History: IPB042N10N3GE8187 | IPB03N03LBG | IRF2907ZPBF | MCP87050 | SIHFSL11N50A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
Popular searches
2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet