IPB039N10N3GE8187 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB039N10N3GE8187
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263-7
Búsqueda de reemplazo de IPB039N10N3GE8187 MOSFET
IPB039N10N3GE8187 Datasheet (PDF)
ipb039n10n3ge8187.pdf

IPB039N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1
ipb039n10n3g ipb039n10n3g3.pdf

IPB039N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1
ipp039n04lg ipb039n04lg.pdf

Type IPP039N04L GIPB039N04L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on
ipb039n04l-g ipp039n04l-g.pdf

Type IPP039N04L GIPB039N04L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on
Otros transistores... IPB055N03L , IPB04N03LAT , IPB04N03LA , IPB04CN10NG , IPB049N08N5 , IPB042N10N3GE8187 , IPB042N03L , IPB03N03LBG , 2SK3918 , IPB034N03L , IPB031N08N5 , IPB029N06N3GE8187 , IPB027N10N5 , IPB026N06N , IPB024N08N5 , IPB020N10N5 , IPB020N08N5 .
History: AM3435P | 2SK2074 | SPW20N60C3 | AUIRFR2307ZTR | BRCS250N10SDP | 36N06 | 6N60KL-TA3-T
History: AM3435P | 2SK2074 | SPW20N60C3 | AUIRFR2307ZTR | BRCS250N10SDP | 36N06 | 6N60KL-TA3-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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