IPB039N10N3GE8187 Todos los transistores

 

IPB039N10N3GE8187 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB039N10N3GE8187
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263-7
 

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IPB039N10N3GE8187 Datasheet (PDF)

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IPB039N10N3GE8187

IPB039N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 2.1. Size:666K  infineon
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IPB039N10N3GE8187

IPB039N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

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IPB039N10N3GE8187

Type IPP039N04L GIPB039N04L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

 7.2. Size:344K  infineon
 ipb039n04l-g ipp039n04l-g.pdf pdf_icon

IPB039N10N3GE8187

Type IPP039N04L GIPB039N04L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

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