Справочник MOSFET. IPB039N10N3GE8187

 

IPB039N10N3GE8187 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB039N10N3GE8187
   Маркировка: 039N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 117 nC
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO-263-7

 Аналог (замена) для IPB039N10N3GE8187

 

 

IPB039N10N3GE8187 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:664K  infineon
 ipb039n10n3ge8187.pdf

IPB039N10N3GE8187 IPB039N10N3GE8187

IPB039N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 2.1. Size:666K  infineon
 ipb039n10n3g ipb039n10n3g3.pdf

IPB039N10N3GE8187 IPB039N10N3GE8187

IPB039N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 7.1. Size:264K  infineon
 ipp039n04lg ipb039n04lg.pdf

IPB039N10N3GE8187 IPB039N10N3GE8187

Type IPP039N04L GIPB039N04L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

 7.2. Size:344K  infineon
 ipb039n04l-g ipp039n04l-g.pdf

IPB039N10N3GE8187 IPB039N10N3GE8187

Type IPP039N04L GIPB039N04L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

 7.3. Size:615K  infineon
 ipb039n04l .pdf

IPB039N10N3GE8187 IPB039N10N3GE8187

pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeatures 4 D S 4EF EI

 7.4. Size:686K  infineon
 ipb039n04l.pdf

IPB039N10N3GE8187 IPB039N10N3GE8187

Type IPP039N04L GIPB039N04L G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mWDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 7.5. Size:219K  inchange semiconductor
 ipb039n04l.pdf

IPB039N10N3GE8187 IPB039N10N3GE8187

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB039N04LFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top