IPB029N06N3GE8187 Todos los transistores

 

IPB029N06N3GE8187 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB029N06N3GE8187
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IPB029N06N3GE8187 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:996K  infineon
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IPB029N06N3GE8187

pe IPB029N06N3 G IPI032N06N3 GIPP032N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryV Features D R m Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 , ?> =1H ,& I 1 Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC DQ H35

 2.1. Size:483K  infineon
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IPB029N06N3GE8187

Type IPB029N06N3 G IPI032N06N3 GIPP032N06N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VFeatures DSR 2.9m Ideal for high frequency switching and sync. rec. DS(on),max (SMD)I 120 A Optimized technology for DC/DC converters D Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche t

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB029N06N3GE8187

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB029N06N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

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History: MMBF4119 | SM6A22NSF

 

 
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