IPB029N06N3GE8187 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB029N06N3GE8187

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IPB029N06N3GE8187 datasheet

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IPB029N06N3GE8187

pe IPB029N06N3 G IPI032N06N3 G IPP032N06N3 G 3 Power-Transistor Product Summary V Features D R m Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 , ?> =1H ,& I 1 Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC D Q H35

 2.1. Size:483K  infineon
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IPB029N06N3GE8187

Type IPB029N06N3 G IPI032N06N3 G IPP032N06N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary V 60 V Features DS R 2.9 m Ideal for high frequency switching and sync. rec. DS(on),max (SMD) I 120 A Optimized technology for DC/DC converters D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche t

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB029N06N3GE8187

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB029N06N3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

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