Справочник MOSFET. IPB029N06N3GE8187

 

IPB029N06N3GE8187 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB029N06N3GE8187
   Маркировка: 029N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165 nC
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IPB029N06N3GE8187

 

 

IPB029N06N3GE8187 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:996K  infineon
 ipb029n06n3ge8187.pdf

IPB029N06N3GE8187 IPB029N06N3GE8187

pe IPB029N06N3 G IPI032N06N3 GIPP032N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryV Features D R m Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 , ?> =1H ,& I 1 Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC DQ H35

 2.1. Size:483K  infineon
 ipb029n06n3g ipi032n06n3g ipp032n06n3g.pdf

IPB029N06N3GE8187 IPB029N06N3GE8187

Type IPB029N06N3 G IPI032N06N3 GIPP032N06N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VFeatures DSR 2.9m Ideal for high frequency switching and sync. rec. DS(on),max (SMD)I 120 A Optimized technology for DC/DC converters D Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche t

 3.1. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb029n06n3.pdf

IPB029N06N3GE8187 IPB029N06N3GE8187

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB029N06N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top