IPB017N10N5 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPB017N10N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB017N10N5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1810 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IPB017N10N5 datasheet

..1. Size:2346K infineon
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0.1. Size:1097K infineon
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7.1. Size:1149K infineon
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7.2. Size:661K infineon
ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf pdf_icon

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