IPB017N10N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPB017N10N5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1810 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IPB017N10N5
IPB017N10N5 Datasheet (PDF)
ipb017n10n5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5D-PAK 7pin1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low
ipb017n10n5lf.pdf

IPB017N10N5LFMOSFETD-PAK 7pinOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applicationstab Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61
ipb017n08n5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R
ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf

pe # ! ! D #:A03 B53 1 7 mWD n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 1 DQ H35
Другие MOSFET... IPB034N03L , IPB031N08N5 , IPB029N06N3GE8187 , IPB027N10N5 , IPB026N06N , IPB024N08N5 , IPB020N10N5 , IPB020N08N5 , IRFZ44N , IPB017N08N5 , IPB015N08N5 , IPB015N04L , IPB014N06N , IPB011N04L , IPB010N06N , IPB009N03L , IPA80R650CE .
History: 12N45A | AON7140 | AP2R803GH | IRFD020PBF
History: 12N45A | AON7140 | AP2R803GH | IRFD020PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a