Справочник MOSFET. IPB017N10N5

 

IPB017N10N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB017N10N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IPB017N10N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB017N10N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2346K  infineon
 ipb017n10n5.pdf pdf_icon

IPB017N10N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5D-PAK 7pin1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 0.1. Size:1097K  infineon
 ipb017n10n5lf.pdf pdf_icon

IPB017N10N5

IPB017N10N5LFMOSFETD-PAK 7pinOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applicationstab Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61

 7.1. Size:1149K  infineon
 ipb017n08n5.pdf pdf_icon

IPB017N10N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R

 7.2. Size:661K  infineon
 ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf pdf_icon

IPB017N10N5

pe # ! ! D #:A03 B53 1 7 mWD n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 1 DQ H35

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB034N03L , IPB031N08N5 , IPB029N06N3GE8187 , IPB027N10N5 , IPB026N06N , IPB024N08N5 , IPB020N10N5 , IPB020N08N5 , IRFZ44N , IPB017N08N5 , IPB015N08N5 , IPB015N04L , IPB014N06N , IPB011N04L , IPB010N06N , IPB009N03L , IPA80R650CE .

History: APT5030BN | AON7140

 

 
Back to Top

 


 
.