IPB017N08N5 Todos los transistores

 

IPB017N08N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB017N08N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IPB017N08N5 Datasheet (PDF)

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IPB017N08N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R

 6.1. Size:661K  infineon
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IPB017N08N5

pe # ! ! D #:A03 B53 1 7 mWD n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 1 DQ H35

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IPB017N08N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5D-PAK 7pin1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

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IPB017N08N5

IPB017N10N5LFMOSFETD-PAK 7pinOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applicationstab Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61

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History: 12N65KG-TF | AP6N6R5LMT-L | AOUS66920 | SQD19P06-60L | CSD17309Q3

 

 
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