IPB017N08N5. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPB017N08N5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IPB017N08N5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPB017N08N5 даташит
ipb017n08n5.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB017N08N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V IPB017N08N5 D PAK 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R
ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf
pe # ! ! D # A03 B53 1 7 mW D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 1 D Q H35
ipb017n10n5.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPB017N10N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPB017N10N5 D -PAK 7pin 1 Description Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. tab Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low
ipb017n10n5lf.pdf
IPB017N10N5LF MOSFET D -PAK 7pin OptiMOSTM 5 Linear FET, 100 V Features Ideal for hot-swap and e-fuse applications tab Very low on-resistance R DS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant 7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61
Другие IGBT... IPB031N08N5, IPB029N06N3GE8187, IPB027N10N5, IPB026N06N, IPB024N08N5, IPB020N10N5, IPB020N08N5, IPB017N10N5, IRF3205, IPB015N08N5, IPB015N04L, IPB014N06N, IPB011N04L, IPB010N06N, IPB009N03L, IPA80R650CE, IPA80R460CE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet




