IPB015N04L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB015N04L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de IPB015N04L MOSFET
IPB015N04L Datasheet (PDF)
ipb015n04l.pdf
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ipb015n04l.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB015N04LFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM
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History: P2020YD | 10N65KG-TN3-R | STB20NM50FDT4 | IRFU7440 | UTD351 | MTN7002ZHS3 | IRFP9231
History: P2020YD | 10N65KG-TN3-R | STB20NM50FDT4 | IRFU7440 | UTD351 | MTN7002ZHS3 | IRFP9231
Liste
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