IPB015N04L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPB015N04L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IPB015N04L
IPB015N04L Datasheet (PDF)
ipb015n04l.pdf

pe $ " E $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D S 4EF EI
ipb015n04lg ipb015n04l .pdf

pe $ " E $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D S 4EF EI
ipb015n04l.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB015N04LFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM
ipp015n04n ipb015n04n.pdf

pe ## ! ! # ! ! D #:A0;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@ER "
Другие MOSFET... IPB027N10N5 , IPB026N06N , IPB024N08N5 , IPB020N10N5 , IPB020N08N5 , IPB017N10N5 , IPB017N08N5 , IPB015N08N5 , 20N60 , IPB014N06N , IPB011N04L , IPB010N06N , IPB009N03L , IPA80R650CE , IPA80R460CE , IPA80R310CE , IPA80R1K4CE .
History: CS3N80BF | APT30M61BLL
History: CS3N80BF | APT30M61BLL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232