IPB009N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPB009N03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263-7

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB009N03L

IPB009N03L Datasheet (PDF)

..1. Size:441K infineon
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TypeIPB009N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply RDS(on),max 0.95 mW Qualified according to JEDEC1) for target applicationsID 180 A N-channel Logic level Ultra-low on-resistance RDS(on)PG-TO263-7 100% Avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliantType Pack

..2. Size:494K infineon
ipb009n03l .pdf

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0.1. Size:1086K infineon
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IPB009N03L GMOSFETD-PAK 7pinOptiMOS3 Power-Transistor, 30 VFeatures MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supplytab Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic level1 Ultra-low on-resistance RDS(on) 100% Avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliantTable 1 Key Performance ParametersDrainParameter Va

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: