IPB009N03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPB009N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
Тип корпуса: TO-263-7
Аналог (замена) для IPB009N03L
IPB009N03L Datasheet (PDF)
ipb009n03l.pdf

TypeIPB009N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply RDS(on),max 0.95 mW Qualified according to JEDEC1) for target applicationsID 180 A N-channel Logic level Ultra-low on-resistance RDS(on)PG-TO263-7 100% Avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliantType Pack
ipb009n03l .pdf

pe $ " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R ') - . 8AC ) , ;@9 3@6 / @;@E7CCFBE;4>7 *AH7C -FBB>J m - A@ ?3I 1)R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D 1 DR ( 5:3@@7>R &A9;5 >7G7>R / >EC3 >AH A@ C7D;DE3@57 D n) G O 7R G3>3@5:7 E7DE76R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@EType Package Marking#* ( & ! G O 7 N !-C59@9 =-?5:3> 3E
ipb009n03lg.pdf

IPB009N03L GMOSFETD-PAK 7pinOptiMOS3 Power-Transistor, 30 VFeatures MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supplytab Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic level1 Ultra-low on-resistance RDS(on) 100% Avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliantTable 1 Key Performance ParametersDrainParameter Va
Другие MOSFET... IPB020N08N5 , IPB017N10N5 , IPB017N08N5 , IPB015N08N5 , IPB015N04L , IPB014N06N , IPB011N04L , IPB010N06N , 50N06 , IPA80R650CE , IPA80R460CE , IPA80R310CE , IPA80R1K4CE , IPA80R1K0CE , IPA65R650CE , IPA65R420CFD , IPA65R310CFD .
History: AM4502AC | GSM8987 | DH060N08D | FQP6N50 | NVD4804N | FCPF250N65S3L1 | SQM200N04-1M7L
History: AM4502AC | GSM8987 | DH060N08D | FQP6N50 | NVD4804N | FCPF250N65S3L1 | SQM200N04-1M7L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567