IPB009N03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPB009N03L
Маркировка: 009N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
Тип корпуса: TO-263-7
Аналог (замена) для IPB009N03L
IPB009N03L Datasheet (PDF)
ipb009n03l.pdf
TypeIPB009N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supply RDS(on),max 0.95 mW Qualified according to JEDEC1) for target applicationsID 180 A N-channel Logic level Ultra-low on-resistance RDS(on)PG-TO263-7 100% Avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliantType Pack
ipb009n03l .pdf
pe $ " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R ') - . 8AC ) , ;@9 3@6 / @;@E7CCFBE;4>7 *AH7C -FBB>J m - A@ ?3I 1)R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D 1 DR ( 5:3@@7>R &A9;5 >7G7>R / >EC3 >AH A@ C7D;DE3@57 D n) G O 7R G3>3@5:7 E7DE76R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@EType Package Marking#* ( & ! G O 7 N !-C59@9 =-?5:3> 3E
ipb009n03lg.pdf
IPB009N03L GMOSFETD-PAK 7pinOptiMOS3 Power-Transistor, 30 VFeatures MOSFET for ORing and Uninterruptible Power Supplytab Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic level1 Ultra-low on-resistance RDS(on) 100% Avalanche tested7 Pb-free plating; RoHS compliantTable 1 Key Performance ParametersDrainParameter Va
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918