IRFP9130 Todos los transistores

 

IRFP9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP9130
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFP9130 Datasheet (PDF)

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 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRFP9130

 0.2. Size:520K  samsung
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PD - 9.1492AIRFP9140NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = -100V 175C Operating Temperature P-ChannelRDS(on) = 0.117 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = -23ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistanc

 8.2. Size:165K  international rectifier
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