IRFP9130 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRFP9130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFP9130 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3P

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRFP9130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFP9130 даташит

0.1. Size:520K samsung
irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

0.2. Size:520K samsung
irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

8.1. Size:142K international rectifier
irfp9140n.pdf pdf_icon

PD - 9.1492A IRFP9140N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V 175 C Operating Temperature P-Channel RDS(on) = 0.117 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = -23A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistanc

8.2. Size:165K international rectifier
irfp9140.pdf pdf_icon