IPA105N15N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA105N15N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 378 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de IPA105N15N3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPA105N15N3 datasheet

 ..1. Size:548K  infineon
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:550K  infineon
 ipa105n15n3g.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.1. Size:538K  infineon
 ipa100n08n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IPA60R125P6, IPA60R099P6, IPA50R950CE, IPA50R800CE, IPA50R650CE, IPA50R500CE, IPA50R280CE, IPA50R190CE, IRF1010E, IPA083N10N5, IPA075N15N3, IPA060N06N, IPA041N04NG, IPA040N06N, IPA029N06N, IRFP4004PBF, IRFP4110PBF