IPA105N15N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPA105N15N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для IPA105N15N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA105N15N3 даташит

 ..1. Size:548K  infineon
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:550K  infineon
 ipa105n15n3g.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

IPA105N15N3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.1. Size:538K  infineon
 ipa100n08n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPA60R125P6, IPA60R099P6, IPA50R950CE, IPA50R800CE, IPA50R650CE, IPA50R500CE, IPA50R280CE, IPA50R190CE, IRF1010E, IPA083N10N5, IPA075N15N3, IPA060N06N, IPA041N04NG, IPA040N06N, IPA029N06N, IRFP4004PBF, IRFP4110PBF