Справочник MOSFET. IPA105N15N3

 

IPA105N15N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA105N15N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для IPA105N15N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA105N15N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  infineon
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa105n15n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA105N15N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:550K  infineon
 ipa105n15n3g.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

IPA105N15N3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D P ' 381>>5?A=1

 9.1. Size:538K  infineon
 ipa100n08n3.pdf pdf_icon

IPA105N15N3

# ! ! (TM) #:A03 B53 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPA60R125P6 , IPA60R099P6 , IPA50R950CE , IPA50R800CE , IPA50R650CE , IPA50R500CE , IPA50R280CE , IPA50R190CE , IRF530 , IPA083N10N5 , IPA075N15N3 , IPA060N06N , IPA041N04NG , IPA040N06N , IPA029N06N , IRFP4004PBF , IRFP4110PBF .

History: SVF10N60T | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.