IRFP9133 Todos los transistores

 

IRFP9133 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP9133
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFP9133 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRFP9133

 7.2. Size:520K  samsung
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 8.1. Size:142K  international rectifier
 irfp9140n.pdf pdf_icon

IRFP9133

PD - 9.1492AIRFP9140NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = -100V 175C Operating Temperature P-ChannelRDS(on) = 0.117 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = -23ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistanc

 8.2. Size:165K  international rectifier
 irfp9140.pdf pdf_icon

IRFP9133

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History: IRLI3803PBF | NCE80H12

 

 
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