Справочник MOSFET. IRFP9133

 

IRFP9133 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP9133
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP9133 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:520K  samsung
 irfp9130-33 irf9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRFP9133

 7.2. Size:520K  samsung
 irf9130-33 irfp9130-33 irf9530-33.pdf pdf_icon

IRFP9133

 8.1. Size:142K  international rectifier
 irfp9140n.pdf pdf_icon

IRFP9133

PD - 9.1492AIRFP9140NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = -100V 175C Operating Temperature P-ChannelRDS(on) = 0.117 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = -23ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistanc

 8.2. Size:165K  international rectifier
 irfp9140.pdf pdf_icon

IRFP9133

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP453 , IRFP460 , IRFP460A , IRFP460LC , IRFP470 , IRFP9130 , IRFP9131 , IRFP9132 , 7N60 , IRFP9140 , IRFP9140N , IRFP9141 , IRFP9142 , IRFP9143 , IRFP9150 , IRFP9230 , IRFP9231 .

History: APT5010B2FLL | PDC3912Z | KF5N50FZ | BLS60R150F-A | IRF123 | IRF3710SPBF | JCS2N95RA

 

 
Back to Top

 


 
.