IRFP7530PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFP7530PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 141 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1266 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Encapsulados: TO247
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IRFP7530PBF datasheet
irfp7530pbf.pdf
StrongIRFET IRFP7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00m G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 281A Resonant mode power sup
irfp7530.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP7530 IIRFP7530 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2m Enhancement mode Vth =2.1 to 3.7V (VDS=VGS, ID=250 A) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Synchronous Rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA
irfp7537pbf.pdf
StrongIRFET IRFP7537PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications D VDSS 60V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.75m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 3.30m Resonant mode power supplies S OR-ing and re
Otros transistores... IRFP460P, IRFP460PBF, IRFP462, IRFP4668PBF, IRFP4710PBF, IRFP4768PBF, IRFP4868PBF, IRFP7430PBF, IRFZ44N, IRFP7537PBF, IRFP7718PBF, FCA16N60, FCA16N60F109, FCA20N60FS, FCA20N60S, FCA20N60SF109, FCAB2126
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Liste
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