Справочник MOSFET. IRFP7530PBF

 

IRFP7530PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP7530PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 141 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1266 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP7530PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  international rectifier
irfp7530pbf.pdfpdf_icon

IRFP7530PBF

StrongIRFET IRFP7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 281A Resonant mode power sup

 6.1. Size:242K  inchange semiconductor
irfp7530.pdfpdf_icon

IRFP7530PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP7530IIRFP7530FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2mEnhancement mode:Vth =2.1 to 3.7V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

 7.1. Size:538K  international rectifier
irfp7537pbf.pdfpdf_icon

IRFP7530PBF

StrongIRFET IRFP7537PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications D VDSS 60V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.75m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 3.30m Resonant mode power supplies S OR-ing and re

 7.2. Size:247K  inchange semiconductor
irfp7537.pdfpdf_icon

IRFP7530PBF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP7537IIRFP7537FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.3mEnhancement mode:Vth =2.1 to 3.7 V (VDS=VGS, ID=150A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.