FCB290N80 Todos los transistores

 

FCB290N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCB290N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 212 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.29 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2-PAK

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FCB290N80 Datasheet (PDF)

1.1. fcb290n80.pdf Size:711K _upd-mosfet

FCB290N80
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March 2015 FCB290N80 N-Channel SuperFET® II MOSFET 800 V, 17 A, 0.29  Features Description • RDS(on) = 0.259 Typ.) SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance • Low Eoss (Typ. 5.4 u

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