Справочник MOSFET. FCB290N80

 

FCB290N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCB290N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 212 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
   Время нарастания (tr): 14 ns
   Выходная емкость (Cd): 75 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK

 Аналог (замена) для FCB290N80

 

 

FCB290N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  fairchild semi
 fcb290n80.pdf

FCB290N80 FCB290N80

March 2015FCB290N80N-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 17 A, 0.29 Features Description RDS(on) = 0.259 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 5.4 u

 ..2. Size:727K  onsemi
 fcb290n80.pdf

FCB290N80 FCB290N80

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
 fcb290n80.pdf

FCB290N80 FCB290N80

Isc N-Channel MOSFET Transistor FCB290N80FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSG90R340KF | STB15NK50ZT4 | WMM53N60F2

 

 
Back to Top