FCD2250N80Z Todos los transistores

 

FCD2250N80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCD2250N80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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FCD2250N80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  fairchild semi
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FCD2250N80Z

December 2014FCD2250N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 2.6 A, 2.25 Features Description RDS(on) = 1.8 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 11 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 1

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
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FCD2250N80Z

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FCD2250N80ZFEATURESWith TO-252(DPAK) packagingUIS capabilityHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsAD-AC power supplyLED lightingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... FCAB2126 , FCB110N65F , FCB11N60FTM , FCB11N60TM , FCB20N60FTM , FCB20N60TM , FCB290N80 , FCB36N60NTM , IRF3710 , FCD3400N80Z , FCD4N60TF , FCD4N60TM , FCD5N60TMWS , FCH041N60FF085 , FCH041N65FF085 , FCH070N60E , FCH20N60 .

History: FCH041N65FF085 | CSD17551Q5A | IRF7379PBF | CS4N60A4R | CSD17501Q5A | FCD3400N80Z | UTT30P06G-TM3-T

 

 
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