FCD2250N80Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCD2250N80Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.25 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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FCD2250N80Z datasheet

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FCD2250N80Z

December 2014 FCD2250N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 Features Description RDS(on) = 1.8 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 11 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 1

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FCD2250N80Z

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FCD2250N80Z FEATURES With TO-252(DPAK) packaging UIS capability High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications AD-AC power supply LED lighting ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... FCAB2126, FCB110N65F, FCB11N60FTM, FCB11N60TM, FCB20N60FTM, FCB20N60TM, FCB290N80, FCB36N60NTM, AO3400, FCD3400N80Z, FCD4N60TF, FCD4N60TM, FCD5N60TMWS, FCH041N60FF085, FCH041N65FF085, FCH070N60E, FCH20N60