Справочник MOSFET. FCD2250N80Z

 

FCD2250N80Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCD2250N80Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.25 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FCD2250N80Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD2250N80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  fairchild semi
 fcd2250n80z.pdf pdf_icon

FCD2250N80Z

December 2014FCD2250N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 2.6 A, 2.25 Features Description RDS(on) = 1.8 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 11 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 1

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 fcd2250n80z.pdf pdf_icon

FCD2250N80Z

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FCD2250N80ZFEATURESWith TO-252(DPAK) packagingUIS capabilityHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsAD-AC power supplyLED lightingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... FCAB2126 , FCB110N65F , FCB11N60FTM , FCB11N60TM , FCB20N60FTM , FCB20N60TM , FCB290N80 , FCB36N60NTM , IRF3710 , FCD3400N80Z , FCD4N60TF , FCD4N60TM , FCD5N60TMWS , FCH041N60FF085 , FCH041N65FF085 , FCH070N60E , FCH20N60 .

History: 2N7075 | IRFE024

 

 
Back to Top

 


 
.