FCD2250N80Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCD2250N80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.25 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FCD2250N80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD2250N80Z даташит

 ..1. Size:758K  fairchild semi
 fcd2250n80z.pdf pdf_icon

FCD2250N80Z

December 2014 FCD2250N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 Features Description RDS(on) = 1.8 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 11 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 1

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 fcd2250n80z.pdf pdf_icon

FCD2250N80Z

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FCD2250N80Z FEATURES With TO-252(DPAK) packaging UIS capability High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications AD-AC power supply LED lighting ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие IGBT... FCAB2126, FCB110N65F, FCB11N60FTM, FCB11N60TM, FCB20N60FTM, FCB20N60TM, FCB290N80, FCB36N60NTM, AO3400, FCD3400N80Z, FCD4N60TF, FCD4N60TM, FCD5N60TMWS, FCH041N60FF085, FCH041N65FF085, FCH070N60E, FCH20N60