FCD4N60TF Todos los transistores

 

FCD4N60TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCD4N60TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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FCD4N60TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  fairchild semi
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FCD4N60TF

October 2013FCD4N60N-Channel SuperFET MOSFET600 V, 3.9 A, 1.2 Features Description 650 V @TJ = 150 C SuperFET MOSFET is Fairchild Semiconductors first genera-tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is Typ. RDS(on) = 1.0 utilizing charge balance technology for outstanding low on- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.8 nC)resistance

 7.1. Size:922K  fairchild semi
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FCD4N60TF

December 2008 TMSuperFETFCD4N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 1.0balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg = 12.8nC) lower gate charge performance.

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXTC280N055T

 

 
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