FCD4N60TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCD4N60TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FCD4N60TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD4N60TF даташит

 ..1. Size:478K  fairchild semi
 fcd4n60tf fcd4n60tm.pdf pdf_icon

FCD4N60TF

October 2013 FCD4N60 N-Channel SuperFET MOSFET 600 V, 3.9 A, 1.2 Features Description 650 V @TJ = 150 C SuperFET MOSFET is Fairchild Semiconductor s first genera- tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is Typ. RDS(on) = 1.0 utilizing charge balance technology for outstanding low on- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.8 nC) resistance

 7.1. Size:922K  fairchild semi
 fcd4n60.pdf pdf_icon

FCD4N60TF

Другие IGBT... FCB11N60FTM, FCB11N60TM, FCB20N60FTM, FCB20N60TM, FCB290N80, FCB36N60NTM, FCD2250N80Z, FCD3400N80Z, IRF3710, FCD4N60TM, FCD5N60TMWS, FCH041N60FF085, FCH041N65FF085, FCH070N60E, FCH20N60, FCH47N60F133, FCI11N60