FCD4N60TM Todos los transistores

 

FCD4N60TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCD4N60TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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FCD4N60TM datasheet

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FCD4N60TM

October 2013 FCD4N60 N-Channel SuperFET MOSFET 600 V, 3.9 A, 1.2 Features Description 650 V @TJ = 150 C SuperFET MOSFET is Fairchild Semiconductor s first genera- tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is Typ. RDS(on) = 1.0 utilizing charge balance technology for outstanding low on- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.8 nC) resistance

 7.1. Size:922K  fairchild semi
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FCD4N60TM

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