Справочник MOSFET. FCD4N60TM

 

FCD4N60TM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FCD4N60TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 45 ns

Выходная емкость (Cd): 210 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FCD4N60TM

 

 

FCD4N60TM Datasheet (PDF)

1.1. fcd4n60tf fcd4n60tm.pdf Size:478K _fairchild_semi

FCD4N60TM
FCD4N60TM

October 2013 FCD4N60 N-Channel SuperFET® MOSFET 600 V, 3.9 A, 1.2  Features Description • 650 V @TJ = 150 °C SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first genera- tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is • Typ. RDS(on) = 1.0  utilizing charge balance technology for outstanding low on- • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.8 nC) resistance

3.1. fcd4n60.pdf Size:922K _fairchild_semi

FCD4N60TM
FCD4N60TM

December 2008 TM SuperFET FCD4N60 600V N-Channel MOSFET Features Description • 650V @TJ = 150°C SuperFETTM is, Fairchild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge • Typ. RDS(on) = 1.0Ω balance mechanism for outstanding low on-resistance and • Ultra low gate charge (typ. Qg = 12.8nC) lower gate charge performance.

 

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top