Справочник MOSFET. FCD4N60TM

 

FCD4N60TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCD4N60TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FCD4N60TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD4N60TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  fairchild semi
 fcd4n60tf fcd4n60tm.pdf pdf_icon

FCD4N60TM

October 2013FCD4N60N-Channel SuperFET MOSFET600 V, 3.9 A, 1.2 Features Description 650 V @TJ = 150 C SuperFET MOSFET is Fairchild Semiconductors first genera-tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is Typ. RDS(on) = 1.0 utilizing charge balance technology for outstanding low on- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.8 nC)resistance

 7.1. Size:922K  fairchild semi
 fcd4n60.pdf pdf_icon

FCD4N60TM

December 2008 TMSuperFETFCD4N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 1.0balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg = 12.8nC) lower gate charge performance.

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SIF7N70C | RU190N08

 

 
Back to Top

 


 
.