FDA2712 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDA2712
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 371 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDA2712

FDA2712 Datasheet (PDF)

..1. Size:356K fairchild semi
fda2712.pdf

April 2007UltraFETFDA2712tmN-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mFeatures Description RDS(on) = 29.2m @VGS = 10 V, ID = 40A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- Fast switching speed ductors advanced PowerTrench process that has been especial-ly tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Low gate charge H

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: