FDA2712 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA2712

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 371 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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FDA2712 datasheet

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FDA2712

April 2007 UltraFET FDA2712 tm N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34m Features Description RDS(on) = 29.2m @VGS = 10 V, ID = 40A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- Fast switching speed ductor s advanced PowerTrench process that has been especial- ly tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Low gate charge H

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