Справочник MOSFET. FDA2712

 

FDA2712 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDA2712
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 371 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для FDA2712

 

 

FDA2712 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  fairchild semi
 fda2712.pdf

FDA2712 FDA2712

April 2007UltraFETFDA2712tmN-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mFeatures Description RDS(on) = 29.2m @VGS = 10 V, ID = 40A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- Fast switching speed ductors advanced PowerTrench process that has been especial-ly tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Low gate charge H

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top