FDA2712 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDA2712
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 64 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 99 nC
Время нарастания (tr): 371 ns
Выходная емкость (Cd): 550 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
FDA2712 Datasheet (PDF)
..1. Size:356K fairchild semi
fda2712.pdf
fda2712.pdf
April 2007UltraFETFDA2712tmN-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mFeatures Description RDS(on) = 29.2m @VGS = 10 V, ID = 40A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- Fast switching speed ductors advanced PowerTrench process that has been especial-ly tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Low gate charge H
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
