Справочник MOSFET. FDA2712

 

FDA2712 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA2712
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 371 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA2712 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  fairchild semi
 fda2712.pdf pdf_icon

FDA2712

April 2007UltraFETFDA2712tmN-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mFeatures Description RDS(on) = 29.2m @VGS = 10 V, ID = 40A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- Fast switching speed ductors advanced PowerTrench process that has been especial-ly tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Low gate charge H

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF9956PBF | SI7913DN | CS840FA9D | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.