FDA2712 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDA2712
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 99 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 371 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для FDA2712
FDA2712 Datasheet (PDF)
fda2712.pdf

April 2007UltraFETFDA2712tmN-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mFeatures Description RDS(on) = 29.2m @VGS = 10 V, ID = 40A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- Fast switching speed ductors advanced PowerTrench process that has been especial-ly tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Low gate charge H
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent