FDA2712. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA2712

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 371 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FDA2712

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA2712 даташит

 ..1. Size:356K  fairchild semi
 fda2712.pdf pdf_icon

FDA2712

April 2007 UltraFET FDA2712 tm N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34m Features Description RDS(on) = 29.2m @VGS = 10 V, ID = 40A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- Fast switching speed ductor s advanced PowerTrench process that has been especial- ly tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Low gate charge H

Другие IGBT... FCPF290N80, FCPF4300N80Z, FCPF7N60T, FCPF7N60YDTU, FCU2250N80Z, FCU3400N80Z, FCU7N60TU, FDA16N50, IRFP260, FDA62N28, FDA75N28, FDA79N15, FDAF59N30, FDAF62N28, FDAF69N25, FDAF75N28, FDB14AN06LA0