FDA62N28 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA62N28

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 280 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 560 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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FDA62N28 datasheet

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FDA62N28

TM UniFET FDA62N28 280V N-Channel MOSFET Features Description 62A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF) This advanced technology has been especially tailored to mini-

Otros transistores... FCPF4300N80Z, FCPF7N60T, FCPF7N60YDTU, FCU2250N80Z, FCU3400N80Z, FCU7N60TU, FDA16N50, FDA2712, 4435, FDA75N28, FDA79N15, FDAF59N30, FDAF62N28, FDAF69N25, FDAF75N28, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0