FDA62N28. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA62N28

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 280 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 560 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FDA62N28

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA62N28 даташит

 ..1. Size:441K  fairchild semi
 fda62n28.pdf pdf_icon

FDA62N28

TM UniFET FDA62N28 280V N-Channel MOSFET Features Description 62A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF) This advanced technology has been especially tailored to mini-

Другие IGBT... FCPF4300N80Z, FCPF7N60T, FCPF7N60YDTU, FCU2250N80Z, FCU3400N80Z, FCU7N60TU, FDA16N50, FDA2712, 4435, FDA75N28, FDA79N15, FDAF59N30, FDAF62N28, FDAF69N25, FDAF75N28, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0