Справочник MOSFET. FDA62N28

 

FDA62N28 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA62N28
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 280 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 560 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FDA62N28

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA62N28 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  fairchild semi
 fda62n28.pdf pdf_icon

FDA62N28

TMUniFETFDA62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 62A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini-

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CM10N80P | CS840FA9D | CM18N20

 

 
Back to Top

 


 
.