FDA62N28 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDA62N28
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 280 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 77 nC
Время нарастания (tr): 560 ns
Выходная емкость (Cd): 730 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.051 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
FDA62N28 Datasheet (PDF)
..1. Size:441K fairchild semi
fda62n28.pdf
fda62n28.pdf
TMUniFETFDA62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 62A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini-
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
