FDA62N28 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDA62N28
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 280 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 560 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для FDA62N28
FDA62N28 Datasheet (PDF)
fda62n28.pdf

TMUniFETFDA62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 62A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini-
Другие MOSFET... FCPF4300N80Z , FCPF7N60T , FCPF7N60YDTU , FCU2250N80Z , FCU3400N80Z , FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , AON7410 , FDA75N28 , FDA79N15 , FDAF59N30 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 .
History: JCS3910V | SIL2322A | AON6590A | MCT04N10 | IRFIBC30GPBF | IPP200N25N3
History: JCS3910V | SIL2322A | AON6590A | MCT04N10 | IRFIBC30GPBF | IPP200N25N3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики