FDA79N15 Todos los transistores

 

FDA79N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDA79N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

 Búsqueda de reemplazo de FDA79N15 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDA79N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:594K  fairchild semi
 fda79n15.pdf pdf_icon

FDA79N15

TMUniFETFDA79N15150V N-Channel MOSFETFeatures Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 56 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 96 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini- F

Otros transistores... FCPF7N60YDTU , FCU2250N80Z , FCU3400N80Z , FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , IRF9540N , FDAF59N30 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 .

History: FDBL86366-F085 | IRF7341I | IRFR3709Z | KP901A | FDN327N | RCJ510N25 | 2SJ548

 

 
Back to Top

 


 
.