FDA79N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDA79N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 417 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 79 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 56 nC
Tiempo de subida (tr): 200 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 730 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDA79N15
FDA79N15 Datasheet (PDF)
..1. Size:594K fairchild semi
fda79n15.pdf
fda79n15.pdf
TMUniFETFDA79N15150V N-Channel MOSFETFeatures Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 56 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 96 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini- F
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
