Справочник MOSFET. FDA79N15

 

FDA79N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA79N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FDA79N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA79N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:594K  fairchild semi
 fda79n15.pdf pdf_icon

FDA79N15

TMUniFETFDA79N15150V N-Channel MOSFETFeatures Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 56 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 96 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini- F

Другие MOSFET... FCPF7N60YDTU , FCU2250N80Z , FCU3400N80Z , FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , IRF9540N , FDAF59N30 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 .

History: WMM15N65F2 | JFAM30N60E | NCE4005

 

 
Back to Top

 


 
.