Справочник MOSFET. FDA79N15

 

FDA79N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA79N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA79N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:594K  fairchild semi
 fda79n15.pdf pdf_icon

FDA79N15

TMUniFETFDA79N15150V N-Channel MOSFETFeatures Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 56 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 96 pF)This advanced technology has been especially tailored to mini- F

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP3N028EY | PSMN1R0-40YSH | 2SK1067

 

 
Back to Top

 


 
.