FDA79N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA79N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FDA79N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA79N15 даташит

 ..1. Size:594K  fairchild semi
 fda79n15.pdf pdf_icon

FDA79N15

TM UniFET FDA79N15 150V N-Channel MOSFET Features Description 79A, 150V, RDS(on) = 0.03 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 56 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 96 pF) This advanced technology has been especially tailored to mini- F

Другие IGBT... FCPF7N60YDTU, FCU2250N80Z, FCU3400N80Z, FCU7N60TU, FDA16N50, FDA2712, FDA62N28, FDA75N28, SKD502T, FDAF59N30, FDAF62N28, FDAF69N25, FDAF75N28, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, FDB24AN06LA0, FDB2570