FDAF59N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDAF59N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 161 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 575 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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FDAF59N30 datasheet

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FDAF59N30

October 2006 TM UniFET FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET Features Description 34A, 300V, RDS(on) = 0.056 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF) This advanced technology has been especially tailored

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