Справочник MOSFET. FDAF59N30

 

FDAF59N30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDAF59N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 161 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 575 ns
   Выходная емкость (Cd): 710 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для FDAF59N30

 

 

FDAF59N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  fairchild semi
 fdaf59n30.pdf

FDAF59N30 FDAF59N30

October 2006TMUniFETFDAF59N30300V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 300V, RDS(on) = 0.056 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top