Справочник MOSFET. FDAF59N30

 

FDAF59N30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDAF59N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 161 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
   trⓘ - Время нарастания: 575 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для FDAF59N30

 

 

FDAF59N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  fairchild semi
 fdaf59n30.pdf

FDAF59N30 FDAF59N30

October 2006TMUniFETFDAF59N30300V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 300V, RDS(on) = 0.056 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top