FDAF59N30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDAF59N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 161 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 575 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FDAF59N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF59N30 даташит

 ..1. Size:762K  fairchild semi
 fdaf59n30.pdf pdf_icon

FDAF59N30

October 2006 TM UniFET FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET Features Description 34A, 300V, RDS(on) = 0.056 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF) This advanced technology has been especially tailored

Другие IGBT... FCU2250N80Z, FCU3400N80Z, FCU7N60TU, FDA16N50, FDA2712, FDA62N28, FDA75N28, FDA79N15, K4145, FDAF62N28, FDAF69N25, FDAF75N28, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, FDB24AN06LA0, FDB2570, FDB2670