Справочник MOSFET. FDAF59N30

 

FDAF59N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDAF59N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 161 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
   trⓘ - Время нарастания: 575 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF59N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  fairchild semi
 fdaf59n30.pdf pdf_icon

FDAF59N30

October 2006TMUniFETFDAF59N30300V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 300V, RDS(on) = 0.056 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FCU2250N80Z , FCU3400N80Z , FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , FDA79N15 , RFP50N06 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 .

 

 
Back to Top

 


 
.