Справочник MOSFET. FDAF59N30

 

FDAF59N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDAF59N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 161 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 575 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FDAF59N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF59N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  fairchild semi
 fdaf59n30.pdf pdf_icon

FDAF59N30

October 2006TMUniFETFDAF59N30300V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 300V, RDS(on) = 0.056 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FCU2250N80Z , FCU3400N80Z , FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , FDA79N15 , IRFB3607 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 .

History: SSFM3008 | WMM15N65C2 | SP8006 | SWD4N65DA | WPM3012 | STH410N4F7-2AG | WML10N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.