FDAF62N28 Todos los transistores

 

FDAF62N28 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDAF62N28
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 280 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 560 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF
 

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FDAF62N28 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  fairchild semi
 fdaf62n28.pdf pdf_icon

FDAF62N28

October 2006TMUniFETFDAF62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:628K  fairchild semi
 fdaf69n25.pdf pdf_icon

FDAF62N28

September 2005TMUniFETFDAF69N25 250V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF)This advanced technology has been especially tailo

Otros transistores... FCU3400N80Z , FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , FDA79N15 , FDAF59N30 , TK10A60D , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 .

History: IPB60R299CPA | BSZ035N03LS | APT56F50L | AP9430AGYT-HF

 

 
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