FDAF62N28. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDAF62N28

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 280 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 560 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FDAF62N28

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF62N28 даташит

 ..1. Size:719K  fairchild semi
 fdaf62n28.pdf pdf_icon

FDAF62N28

October 2006 TM UniFET FDAF62N28 280V N-Channel MOSFET Features Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF) This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:628K  fairchild semi
 fdaf69n25.pdf pdf_icon

FDAF62N28

September 2005 TM UniFET FDAF69N25 250V N-Channel MOSFET Features Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF) This advanced technology has been especially tailo

Другие IGBT... FCU3400N80Z, FCU7N60TU, FDA16N50, FDA2712, FDA62N28, FDA75N28, FDA79N15, FDAF59N30, 13N50, FDAF69N25, FDAF75N28, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, FDB24AN06LA0, FDB2570, FDB2670, FDB3672