Справочник MOSFET. FDAF62N28

 

FDAF62N28 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDAF62N28
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 280 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 560 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FDAF62N28

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF62N28 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  fairchild semi
 fdaf62n28.pdf pdf_icon

FDAF62N28

October 2006TMUniFETFDAF62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:628K  fairchild semi
 fdaf69n25.pdf pdf_icon

FDAF62N28

September 2005TMUniFETFDAF69N25 250V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF)This advanced technology has been especially tailo

Другие MOSFET... FCU3400N80Z , FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , FDA79N15 , FDAF59N30 , TK10A60D , FDAF69N25 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 .

History: IRFR3911PBF | FDB86563F085 | IRF7379 | IRLU9343 | SFG60N12PF

 

 
Back to Top

 


 
.