FDAF69N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDAF69N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 855 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF

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FDAF69N25 Datasheet (PDF)

..1. Size:628K fairchild semi
fdaf69n25.pdf

September 2005TMUniFETFDAF69N25 250V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF)This advanced technology has been especially tailo

9.1. Size:719K fairchild semi
fdaf62n28.pdf

October 2006TMUniFETFDAF62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: