FDAF69N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDAF69N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 115 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 77 nC
   Tiempo de subida (tr): 855 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF

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FDAF69N25 Datasheet (PDF)

..1. Size:628K fairchild semi
fdaf69n25.pdf

September 2005TMUniFETFDAF69N25 250V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF)This advanced technology has been especially tailo

9.1. Size:719K fairchild semi
fdaf62n28.pdf

October 2006TMUniFETFDAF62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored

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Liste

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