FDAF69N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDAF69N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 855 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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FDAF69N25 datasheet

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FDAF69N25

September 2005 TM UniFET FDAF69N25 250V N-Channel MOSFET Features Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF) This advanced technology has been especially tailo

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FDAF69N25

October 2006 TM UniFET FDAF62N28 280V N-Channel MOSFET Features Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF) This advanced technology has been especially tailored

Otros transistores... FCU7N60TU, FDA16N50, FDA2712, FDA62N28, FDA75N28, FDA79N15, FDAF59N30, FDAF62N28, AON7410, FDAF75N28, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, FDB24AN06LA0, FDB2570, FDB2670, FDB3672, FDB42AN15A0