FDAF69N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDAF69N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 855 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FDAF69N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF69N25 даташит

 ..1. Size:628K  fairchild semi
 fdaf69n25.pdf pdf_icon

FDAF69N25

September 2005 TM UniFET FDAF69N25 250V N-Channel MOSFET Features Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF) This advanced technology has been especially tailo

 9.1. Size:719K  fairchild semi
 fdaf62n28.pdf pdf_icon

FDAF69N25

October 2006 TM UniFET FDAF62N28 280V N-Channel MOSFET Features Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF) This advanced technology has been especially tailored

Другие IGBT... FCU7N60TU, FDA16N50, FDA2712, FDA62N28, FDA75N28, FDA79N15, FDAF59N30, FDAF62N28, AON7410, FDAF75N28, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, FDB24AN06LA0, FDB2570, FDB2670, FDB3672, FDB42AN15A0