Справочник MOSFET. FDAF69N25

 

FDAF69N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDAF69N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 855 ns
   Выходная емкость (Cd): 750 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для FDAF69N25

 

 

FDAF69N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  fairchild semi
 fdaf69n25.pdf

FDAF69N25 FDAF69N25

September 2005TMUniFETFDAF69N25 250V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF)This advanced technology has been especially tailo

 9.1. Size:719K  fairchild semi
 fdaf62n28.pdf

FDAF69N25 FDAF69N25

October 2006TMUniFETFDAF62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top