Справочник MOSFET. FDAF69N25

 

FDAF69N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDAF69N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 855 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FDAF69N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF69N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  fairchild semi
 fdaf69n25.pdf pdf_icon

FDAF69N25

September 2005TMUniFETFDAF69N25 250V N-Channel MOSFETFeatures Description 34A, 250V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 84 pF)This advanced technology has been especially tailo

 9.1. Size:719K  fairchild semi
 fdaf62n28.pdf pdf_icon

FDAF69N25

October 2006TMUniFETFDAF62N28280V N-Channel MOSFETFeatures Description 36A, 280V, RDS(on) = 0.051 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 77 nC)DMOS technology. Low Crss ( typical 83 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FCU7N60TU , FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , FDA79N15 , FDAF59N30 , FDAF62N28 , RFP50N06 , FDAF75N28 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 , FDB42AN15A0 .

History: KP727B | SIE808DF | IXFV26N50P

 

 
Back to Top

 


 
.