FDAF75N28 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDAF75N28

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 280 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 915 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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FDAF75N28 datasheet

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FDAF75N28

October 2006 TM UniFET FDAF75N28 280V N-Channel MOSFET Features Description 46A, 280V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 111 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF) This advanced technology has been especially tailored

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