FDAF75N28 Todos los transistores

 

FDAF75N28 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDAF75N28
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 280 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 915 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF
 

 Búsqueda de reemplazo de FDAF75N28 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDAF75N28 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  fairchild semi
 fdaf75n28.pdf pdf_icon

FDAF75N28

October 2006TMUniFETFDAF75N28 280V N-Channel MOSFETFeatures Description 46A, 280V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 111 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailored

Otros transistores... FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , FDA79N15 , FDAF59N30 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , 4N60 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 , FDB42AN15A0 , FDB44N25TM .

History: IXFT58N20 | MDF6N65BTH | IRFP22N50A | AM6802 | IXTY48P05T | BUK654R6-55C | BUK654R0-75C

 

 
Back to Top

 


 
.