FDAF75N28 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDAF75N28
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 280 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 111 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 915 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF

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FDAF75N28 Datasheet (PDF)

..1. Size:724K fairchild semi
fdaf75n28.pdf

October 2006TMUniFETFDAF75N28 280V N-Channel MOSFETFeatures Description 46A, 280V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 111 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailored

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Liste

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