Справочник MOSFET. FDAF75N28

 

FDAF75N28 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDAF75N28
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 280 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 580 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 915 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FDAF75N28

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF75N28 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  fairchild semi
 fdaf75n28.pdf pdf_icon

FDAF75N28

October 2006TMUniFETFDAF75N28 280V N-Channel MOSFETFeatures Description 46A, 280V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 111 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FDA16N50 , FDA2712 , FDA62N28 , FDA75N28 , FDA79N15 , FDAF59N30 , FDAF62N28 , FDAF69N25 , 4N60 , FDB14AN06LA0 , FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 , FDB42AN15A0 , FDB44N25TM .

History: SPB80N06S2-05 | AO4624 | PZ5S6JZ | SSF65R360S2E | SSFM2506L | STI14NM65N | WML13N65EM

 

 
Back to Top

 


 
.