FDAF75N28. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDAF75N28

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 280 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 580 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 915 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FDAF75N28

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDAF75N28 даташит

 ..1. Size:724K  fairchild semi
 fdaf75n28.pdf pdf_icon

FDAF75N28

October 2006 TM UniFET FDAF75N28 280V N-Channel MOSFET Features Description 46A, 280V, RDS(on) = 0.041 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 111 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF) This advanced technology has been especially tailored

Другие IGBT... FDA16N50, FDA2712, FDA62N28, FDA75N28, FDA79N15, FDAF59N30, FDAF62N28, FDAF69N25, 12N60, FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, FDB24AN06LA0, FDB2570, FDB2670, FDB3672, FDB42AN15A0, FDB44N25TM