FDB42AN15A0 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDB42AN15A0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB42AN15A0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO-263AB

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FDB42AN15A0 datasheet

..1. Size:255K fairchild semi
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September 2002 FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 35A, 42m Features Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy

..2. Size:258K fairchild semi
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..3. Size:277K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor FDB42AN15A0 FEATURES With TO-263 packaging Drain Source Voltage- V 150V DSS Static drain-source on-resistance RDS(on) 42m @V =10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

5.1. Size:344K fairchild semi
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June 2013 FDB42AN15A0_F085 N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 35A, 42m D D Features Typ rDS(on) = 30m at VGS = 10V, ID = 12A Typ Qg(tot) = 78nC at VGS = 10V, ID = 12A G UIS Capability RoHS Compliant G S Qualified to AEC Q101 TO-263 S Applications FDB SERIES Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alt

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