FDB42AN15A0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDB42AN15A0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 225 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
Аналог (замена) для FDB42AN15A0
FDB42AN15A0 Datasheet (PDF)
fdb42an15a0.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
September 2002FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 35A, 42mFeatures Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy
fdp42an15a0 fdb42an15a0.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
September 2002FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 35A, 42mFeatures Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy
fdb42an15a0.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor FDB42AN15A0FEATURESWith TO-263 packagingDrain Source Voltage-: V 150VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 42m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
fdb42an15 f085.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
June 2013FDB42AN15A0_F085N-Channel Power Trench MOSFET150V, 35A, 42mDDFeatures Typ rDS(on) = 30m at VGS = 10V, ID = 12A Typ Qg(tot) = 78nC at VGS = 10V, ID = 12AG UIS Capability RoHS CompliantGS Qualified to AEC Q101TO-263SApplications FDB SERIES Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alt
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .