FDB52N20TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB52N20TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 175 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FDB52N20TM datasheet

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FDB52N20TM

July 2008 UniFETTM FDB52N20 200V N-Channel MOSFET Features Description 52A, 200V, RDS(on) = 0.049 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 49 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 66 pF) This advanced technology has been especially tailored to m

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FDB52N20TM

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, FDB24AN06LA0, FDB2570, FDB2670, FDB3672, FDB42AN15A0, FDB44N25TM, STP80NF70, FDB5645, FDB5800F085, FDB6021P, FDB6670AS, FDB6690S, FDB7030LL86Z, FDB8132, FDB8160