FDB52N20TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB52N20TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 175 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FDB52N20TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB52N20TM даташит

 ..1. Size:937K  fairchild semi
 fdb52n20 fdb52n20tm.pdf pdf_icon

FDB52N20TM

July 2008 UniFETTM FDB52N20 200V N-Channel MOSFET Features Description 52A, 200V, RDS(on) = 0.049 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 49 nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 66 pF) This advanced technology has been especially tailored to m

 6.1. Size:525K  onsemi
 fdb52n20.pdf pdf_icon

FDB52N20TM

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FDB14AN06LA0, FDB20AN06A0, FDB24AN06LA0, FDB2570, FDB2670, FDB3672, FDB42AN15A0, FDB44N25TM, STP80NF70, FDB5645, FDB5800F085, FDB6021P, FDB6670AS, FDB6690S, FDB7030LL86Z, FDB8132, FDB8160