FDB5645 Todos los transistores

 

FDB5645 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB5645
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDB5645 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  fairchild semi
 fdb5645 fdp5645.pdf pdf_icon

FDB5645

March 2000FDP5645/FDB564560V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 80 A, 60 V. RDS(ON) = 0.0095 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 0.011 @ VGS = 6 V.converters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Critical DC electrical parameters

 9.1. Size:131K  fairchild semi
 fdp5680 fdb5680.pdf pdf_icon

FDB5645

July 2000FDP5680/FDB568060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 40 A, 60 V. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.023 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev

 9.2. Size:82K  fairchild semi
 fdp5690 fdb5690.pdf pdf_icon

FDB5645

July 2000FDP5690/FDB569060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.032 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BSS84KR

 

 
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