Справочник MOSFET. FDB5645

 

FDB5645 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB5645
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для FDB5645

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB5645 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  fairchild semi
 fdb5645 fdp5645.pdf pdf_icon

FDB5645

March 2000FDP5645/FDB564560V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 80 A, 60 V. RDS(ON) = 0.0095 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 0.011 @ VGS = 6 V.converters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Critical DC electrical parameters

 9.1. Size:131K  fairchild semi
 fdp5680 fdb5680.pdf pdf_icon

FDB5645

July 2000FDP5680/FDB568060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 40 A, 60 V. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.023 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev

 9.2. Size:82K  fairchild semi
 fdp5690 fdb5690.pdf pdf_icon

FDB5645

July 2000FDP5690/FDB569060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.032 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev

Другие MOSFET... FDB20AN06A0 , FDB24AN06LA0 , FDB2570 , FDB2670 , FDB3672 , FDB42AN15A0 , FDB44N25TM , FDB52N20TM , IRF1407 , FDB5800F085 , FDB6021P , FDB6670AS , FDB6690S , FDB7030LL86Z , FDB8132 , FDB8160 , FDB8444TS .

History: SWD830D1 | WPM2341 | SSM9918GJ | WST6402 | SIHG47N60AEF | SUN0765F | NCEP080N10A

 

 
Back to Top

 


 
.